安矽思宣布：Ansys RaptorH獲三星晶圓代工「2.5D/3D積體電路」和系統電磁效應認證

▲安矽思（Ansys）美國總部大樓。（圖／翻攝自Wikipedia）

記者楊絡懸／台北報導

工程模擬軟體開發商「安矽思」（Ansys, NASDAQ: ANSS）11日宣布，Ansys RaptorH電磁（electromagnetic；EM）模擬解決方案已獲三星晶圓代工（Samsung Foundry）先進系統單晶片（Systems-on-chip, SoC）及2.5D/3D積體電路（2.5D/3D-IC）的開發認證。

Ansys表示，這項開發認證，讓Ansys幫助三星設計師和三星晶圓代工客戶，在採用三星全新signoff流程時更精確分析和減少EM效應相關風險，大幅加快最先進人工智慧（AI）、高效能運算（high-performance computing, HPC）和5G半導體設計進程。

三星一系列的先進奈米晶片和2.5D/3D-IC技術需要認證EM干擾的signoff方法。EM干擾會對複雜的多晶片封裝（multi-chip assemblies）造成負面影響，而這是傳統工具無法處理的任務。工程師需要使用高容量的EM分析工具，才能針對處理超高資訊傳輸速率的超大型SoC和2.5D/3D封裝建立正確模型。2.5D/3D-IC訊號互動難以量化，此為影響故障的關鍵要素，並限制新技術採用率。

RaptorH的高度整合分析解決方案結合Ansys HFSS高傳真高頻率電磁解決方案以及Ansys RaptorX的超高速度與可靠架構，可幫助三星設計師建立EM現象模型，並確信寄生（parasitic）效應不會對系統造成負面影響，故能提高2.5D/3D晶片封裝的時脈頻率。這將推動此全新封裝技術更快地進入主流生產，並大幅降低風險。

三星電子晶圓代工設計平台開發執行副總裁Jaehong Park表示，由於資料傳輸速率、電子系統整合層次和封裝密度的提高，市場對新EM分析能力需求已成長至前所未見的規模，「Ansys RaptorH能幫助我們優秀的工程團隊克服EM負面現象，進而縮短設計週期、減少預算並提升效能。」

Ansys工程副總裁Yorgos Koutsoyannopoulos表示，「我們與三星持續保持深厚合作關係，RaptorH提供升級版signoff流程，排除EM干擾風險並直接支援三星開發最頂尖的AI、HPC和5G半導體設計。RaptorH將幫助三星設計師和晶圓代工客戶縮小晶片尺寸、降低電源需求、壓低成本和加速產品上市時程。該解決方案亦展現Ansys不僅具有能將Helic等新收購公司的產品快速與既有產品線整合，也能加速成長並提供全球客戶急需的解決方案。」