▲英特爾發布加速製程計畫及宣布將用全新節點方式命名。（圖／取自英特爾官網）
記者高兆麟／綜合報導
英特爾今日揭露其製程與封裝技術的最新路線規劃，並宣布一系列基礎創新，為2025年及其之後的產品注入動力，同時也將採用新款節點命名方式，半導體分析師陸行之就發文表示，儘管一般人認為Intel製程工藝打不過台積電，用改名最快，但他認為台積電不能輕敵，儘管這個是宣戰，但也算是正名及縮短差距的新策略。
陸行之說，一般人會認為，Intel 製程工藝打不過，追不上台積電，用改名快，但他有一些不同的看法，他反而覺得台積電不能輕敵，這個雖然是宣戰，但也算是正名及縮短差距的彎道加速超車新策略，因為Intel 本來2022年10nm 的 Alder Lake/Sapphire Rapids 及 2023年7nm 的Meteor Lake/Granite Rapids，確實跟台積電的7nm 及 4nm 在 poly、 metal、fin pitch、performance不相上下。
陸行之也解釋，Intel 現在終於放棄了過去在節點名稱的堅持，回歸產業正軌，這樣半導體分析師也比較輕鬆，以後就專心盯著每家資本開支，量產時點，良率，產能利用率, 成本等等。
而根據自Pat Gelsinger上任英特爾CEO後，Intel 一口氣公布未來五年的製程工藝藍圖，包括下列六項:
1. 10nm SuperFin 加強版正名成7nm：2022年原本要用 10nm SuperFin 加強版量產做的筆電CPU Alder Lake，伺服器 CPU Sapphire Rapids 正名為 Intel 7nm (台積電 2Q18 vs. Intel 2Q22，兩者差4年）
2. 7nm 正名成4nm：2023年原本要用7nm 量產做的筆電CPU Meteor Lake， 伺服器 CPU Granite Rapids 正名為 Intel 4nm (台積電 2Q22 vs. Intel 2Q23，兩者差一年）
3. 第一次宣布的 Intel 3nm 要在2023年下半年投片量產，和台積電的2022下半年度差一年
4. 第一次宣布的 Intel 2nm/20A Angstrom 埃米（有Ribbon FET、 PowerVia、GAA) 要在2024年幫高通投片量產新產品，這應該跟台積電2nm/20A投片量產時點不相上下
5. 第一次宣布的 Intel 1.8nm/18A 要使用改良版的RibbonFET，還有使用ASML最新的高數值孔徑High NA EUV
6. Intel首次宣布在2024年搶下高通20埃米晶圓代工產品，亞馬遜的AWS將成為Intel第一個代工客戶使用Intel先進封裝解決方案，這些沒有跟Intel 產品競爭的客戶使用Intel 代工服務
陸行之最後也指出，現在就要看Intel 是否能夠確實執行計畫了，若計畫發表後，以後再延遲，就一翻兩瞪眼很難看了。
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