汎銓再取得兩大專利工法 強化半導體材料分析技術力

▲汎銓斬獲新專利工法，包括「低溫原子層鍍膜」、「導電膠」與「原子層導電膜」三大材料分析專利，圖右二為董事長柳紀綸、右一為技術長陳榮欽、左一為營運長廖永順。（圖／汎銓提供）

記者高兆麟／綜合報導

半導體材料故障分析大廠汎銓(6830)近期再取得「導電膠」與「原子層導電膜」兩個新的專利工法，加上先前已取得的「低溫原子層鍍膜」專利，汎銓科技所建構三大材料分析專利，汎銓在半導體先進製程材料分析技術競爭力獲得再次強化。

汎銓表示，隨著半導體先進製程發展至電晶體尺寸已達到奈米等級，使得材料分析的技術難度、精準度的要求等皆日益增加，如何達到無損傷分析，已成了材料分析領域相關業者所需面對的共同課題，過去1奈米的損傷，並不影響製程判讀，但在即將進入2奈米製程研發的今日，些微量測差距都將導致分析的失準，可見材料分析技術的進入門檻也越來越高。

汎銓表示，多年來，公司一直致力於降低分析誤差，如何在分析過程中，保護目標，在取樣的過程中呈現樣品最真實的原貌，以保留其中微小的製程差異，這需要複雜的保護工法，汎銓已超前佈署研發出各項分析工法，並透過專利的取得，建構公司高度的競爭城牆。

汎銓進一步表示，公司所開發的「低溫原子層鍍膜」專利，對於敏感材料，包括EUV光阻、LK材料等，皆有很好的保護效果，有助提高分析的精準度，此低溫原子層鍍膜系統，能夠製備最嚴苛的TEM(穿透式電子顯微鏡；Transmission Electron microscopy)樣品，甚至在最脆弱的光阻或高分子樣品上得到運用的驗證。

再者，先進製程材料分析所仰賴的高解析度電子顯微鏡，常因電荷累積而產生誤差，汎銓科技也開發出兩個新的專利工法來應對，汎銓歷經多年利用「導電膠」與「原子層導電膜」克服了電子顯微鏡的問題，已成功有效的將電子顯微鏡中多餘的電荷導出試片，降低損傷，而對於新一代含金屬的EUV光阻或是其他能量敏感材料，也能發揮其強大的保護力，目前已應用在最先進的製程上，並成為分析先進製程的利器。

隨著後摩爾時代的來臨，晶片尺寸朝微縮化、效能增加、功率耗損減少，已大幅提升整體半導體生產製程良率之難度，從製造一個晶片來看，過去只需要幾百道製程，如今已演變到多達數千道之譜，可謂高難度也高複雜化，而每一道製程也都須依賴分析來檢驗其優劣。

其中，更有數十道關鍵製程，必須倚賴大量的穿透式電子顯微鏡分析服務來檢驗數據上”埃米”尺度的極微小差異，提供正確且精準的分析結果，這也就是汎銓一直以來努力的目標。

汎銓表示，公司將持續憑藉專業優秀的研發團隊，且與各大晶圓代工廠、IDM廠及上下游IC設計、封裝等產業主要客戶保持密切良好合作基礎，有效提供高準確度與即時性之半導體研發製程分析解決方案，並全力拓展兩岸事業佈局，以期挹注整體營運保持良好成長動能。