南亞科全球DRAM市佔升至2%！Q3記憶體排名洗牌 三星HBM超車美光

▲南亞科技。（圖／資料照）

記者陳瑩欣／綜合報導

根據市調機構Counterpoint Research最新報告，2025年第3季全球DRAM市場出現明顯洗牌，台灣記憶體大廠南亞科（2408）市佔攀升至2%，在全球市場站穩腳步。同時，三星（Samsung）憑藉最新一代高頻寬記憶體（HBM3E）技術，市佔從前一季的15%躍升至22%，一舉超越美光（Micron），重新奪回HBM市場第2大供應商地位。

根據《Wccftech》與《朝鮮日報》引述Counterpoint資料指出，三星在年初面臨HBM技術未能通過輝達（NVIDIA）等大廠驗證的困境，但在內部策略大幅調整後，成功於第2季打入超微(AMD)供應鏈，第3季更傳出與NVIDIA簽訂合作，供應HBM3E與次世代HBM4，推升該季HBM市佔至22%。相較於Q1僅有13%，成長顯著。

韓廠SK海力士雖持續蟬聯HBM市佔龍頭，Q3仍維持57%的領先地位，但市佔已連續兩季下滑。美光則維持21%，被三星些微超車。Counterpoint指出，三星的回溫來自HBM3E出貨成績良好，且受惠於中國出口限制逐漸緩解，整體市佔出現回升。

整體DRAM市場方面，SK海力士、三星與美光仍排在前三名，分別為34%、33%與26%。而南亞科在第3季因legacy DRAM（舊型記憶體）需求強勁，市佔由過去的1%提升至2%，為少數逆勢上升的廠商，展現台廠在利基型記憶體市場的競爭力。

Counterpoint也提到，全球DRAM市場在第3季整體規模較上季成長26%，主因是出貨量增加與報價上漲。此外，主流大廠調整產線、減產通用型DRAM，導致市場供應吃緊，也間接帶動其他供應商表現。