力追台積電！三星新建半導體研發中心 6年投入150億美元

▲三星電子在韓國器興的新半導體研發中心破土動工。（圖／三星提供）

記者高兆麟／綜合報導

三星電子今日宣布，三星位在韓國器興的新半導體研發中心破土動工，希望能擴大其在最先進半導體技術方面的領導地位。

三星電子計劃到2028年在公司器興園區內佔地約10.9萬平方米的區域內投資約20萬億韓元（約美金150億元）。園區內的新設施將引領內存和系統半導體的下一代設備和製程的先進研究，以及基於長期計劃的創新新技術的開發。

三星電子副董事長 Jay Y. Lee、總裁兼執行長 Kye Hyun Kyung、儲存業務總裁 Jung-Bae Lee、代工業務總裁 Siyoung Choi 和 S.LSI 業務總裁 Yong-In連同100多名員工出席了今天的破土儀式。

負責設備解決方案 (DS) 部門的總裁 Kye Hyun Kyung 表示，新的最先進的研發綜合體將成為創新中心，來自世界各地的最優秀的研究人才可以在這里共同成長，同時也預計這個新的開始將為三星半導體業務的可持續成長的基礎。

隨著新研發設施的建立，三星電子正在尋求克服半導體微縮限制並鞏固其在半導體技術方面的競爭優勢。

三星電子的器興園區位於首爾南部，靠近 DS 事業部的華城園區，是 1992 年世界上第一個 64Mb DRAM 的誕生地，代表著該公司半導體領導地位的開始。

三星指出，新的器興研發設施、華城研發線和世界上最大的半導體生產基地平澤也有望提升三星在大都市區的三個主要半導體綜合體之間的協同作用。

儀式結束後，三星副董事長也參觀了華城園區，與DS部門的員工會面，討論了在公司內部促進創新的方法。在與DS部門高階主管的單獨會議上，討論了全球半導體行業的當前問題、下一代半導體技術研發的進展以及確保技術以擴大半導體領導地位的方法。