▲台積電南科廠。（圖／記者廖婕妤攝）
記者蕭文康／台北報導
SEMI國際半導體產業協會發布《12吋晶圓廠2027年展望報告(300mm Fab Outlook Report to 2027) 》指出，由於記憶體市場復甦以及對高效能運算和汽車應用的強勁需求，全球用於前端設施的12吋 (300mm) 晶圓廠設備支出預估在2025年首次突破1,000億美元，到2027年將達到1,370億美元的歷史新高。
全球12吋晶圓廠設備投資預計將在2025年成長20%至1,165億美元，2026年將成長12%至1,305億美元，還將在2027年創下歷史新高。
SEMI全球行銷長暨台灣區總裁曹世綸表示：「未來幾年內12吋晶圓廠設備支出預估將呈現大幅成長，反映出市場確實需要這樣的生產能力，以滿足不同市場對電子產品的成長需求，以及人工智慧創新帶來的新一波應用浪潮。最新的SEMI報告也特別點出，政府增加半導體製造投資，對於促進全球經濟和安全的關鍵重要性。這股趨勢預計將有助於縮小重新崛起與新興地區，以及亞洲歷史上支出最高地區之間的設備支出差距。」
SEMI《12吋晶圓廠2027年展望報告》顯示，在政府激勵措施和晶片國產化政策的推動下，中國未來四年將保持每年300億美元以上的投資規模，繼續引領全球晶圓廠設備支出。
受惠於高效能運算 (HPC) 應用帶動先進製程節點推進擴張和記憶體市場復甦，台灣和韓國的晶片供應商預期將提高相對應的設備投資。台灣的設備支出預計將從2024年的203億美元增加到2027年的280億美元，排名第二；而韓國則將從今年的195億美元增加到2027年的263億美元，排名第三。
美洲地區的12吋晶圓廠設備投資預計將成長一倍，從2024年的120億美元提高到2027年的247億美元；而日本、歐洲和中東以及東南亞的支出預計將在2027年分別達到114億美元、112億美元和53億美元。
晶圓代工領域支出預計今年將下降4%來到566億美元，部分原因是成熟節點（>10奈米）投資預估將會放緩，然為滿足市場對生成式AI、汽車和智慧邊緣裝置的需求，此領域在所有領域中仍保持最高的成長率，設備支出從2023年到2027年預計將帶來7.6%年複合成長率 (CAGR) 達到791億美元。
資料傳輸頻寬對於AI伺服器的運算效能至關重要，帶動高頻寬記憶體 (HBM) 強勁需求，導致記憶體技術的投資增加。記憶體在所有領域中排名第二，2023年到2027年的年複合成長率將達到20%。DRAM設備支出預計將在2027年提高到252億美元，年複合成長率為17.4%；而3D NAND的投資預計將在2027年達到168億美元，年複合成長率為29%。
預計到2027年，類比 (Analog)、微型 (Micro)、光電 (Opto) 和分離 (Discrete) 元件領域的12吋晶圓廠設備投資將分別增加至55億美元、43億美元、23億美元和16億美元。
SEMI《12吋晶圓廠2027年展望報告》列出全球405座設施和生產線，包括預計將在未來四年內開始營運的75座設施。上一期報告的發布日期為2023年12月，本期刊載358項更新和26個新晶圓廠/生產線專案。
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