三星

三星罷工投票出爐!93%「贊成」壓倒性勝利 半導體、記憶體緊張

三星罷工投票出爐!93%「贊成」壓倒性勝利 半導體、記憶體緊張

南韓三星電子勞資衝突升溫,工會18日宣布通過罷工授權投票,支持比例高達93%,顯示內部不滿情緒快速升高。若後續協商破局,最快將於5月21日起展開為期18天的罷工行動,市場憂心恐進一步衝擊全球半導體與記憶體供應。

三星電子大罷工投票3/18揭曉! 半導體、記憶體產線全受衝擊

三星電子大罷工投票3/18揭曉! 半導體、記憶體產線全受衝擊

南韓科技巨頭三星可能面臨新一輪勞資衝突。由於薪資談判破局,旗下三大工會正準備啟動罷工程序,若投票通過,最快可能在5月下旬發動全面罷工,屆時恐對三星的半導體與製造業務造成衝擊,也為公司營運再添不確定性。

AI搶晶片!美韓記憶體3巨頭衝HBM 三星嗆聲挑戰iPhone霸主

AI搶晶片!美韓記憶體3巨頭衝HBM 三星嗆聲挑戰iPhone霸主

AI浪潮帶動記憶體產業全面轉向高頻寬記憶體(HBM),包括SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)與三星電子(Samsung)等美韓三大記憶體廠正全力搶攻AI資料中心市場。由於產能優先供應AI晶片,智慧手機使用的記憶體供給相對吃緊。在產業結構轉向AI之際,三星也加速布局AI手機,並揚言挑戰蘋果(Apple)iPhone在全球智慧型手機市場的龍頭地位。

韓二大記憶體廠傳Q2報價續大幅調漲 估全年漲幅達130%

韓二大記憶體廠傳Q2報價續大幅調漲 估全年漲幅達130%

根據韓國媒體《首爾經濟》(Seoul Economic Daily)報導,三星電子與SK海力士計畫自今年第2季起繼續大幅調漲DRAM價格,由於兩家公司的產能無法滿足因人工智慧(AI)需求激增,市場預測今年DRAM價格的整體漲幅可能高達130%。

漲價帶動去年Q4 DRAM產業營收成長近三成 三星重返市占第一

漲價帶動去年Q4 DRAM產業營收成長近三成 三星重返市占第一

根據TrendForce最新調查顯示,由於AI應用由LLM模型訓練延伸至推論,推動CSPs業者的資料中心建置重心由AI server延伸至general server,進一步推動記憶體採購重心由HBM3e、LPDDR5X及大容量RDIMM延伸至各類容量的RDIMM,積極釋出追加訂單,帶動conventional DRAM的合約價大幅上漲,2025年第四季DRAM產業營收為535.8億美元,較上季度增加29.4%。

記憶體價格飆升助攻 三星半導體目標衝刺50%利潤率

記憶體價格飆升助攻 三星半導體目標衝刺50%利潤率

在AI熱潮與記憶體漲價雙重帶動下,三星半導體事業迎來強勢復甦。外媒報導指出,隨著DRAM與NAND Flash價格持續上揚,三星計畫進一步調整產線與資源配置,將重心放在高毛利產品上,目標挑戰50%營業利潤率。

三星率先出貨商用HBM4 預期高階記憶體晶片業績成長3倍

三星率先出貨商用HBM4 預期高階記憶體晶片業績成長3倍

三星電子今日宣布,正式量產業界領先的商用HBM4產品,並完成業界首次出貨,三星表示,憑藉其最先進的第六代10奈米級DRAM製程(1c),量產之初即實現穩定良率與業界頂尖效能,無需額外重新設計即順利完成;業界指出,這代表三星在銷售用於驅動生成式人工智慧(AI)所需的高端半導體的競賽中取得的關鍵突破。

三星搶先量產全球首款 HBM4 最快下周供貨輝達

三星搶先量產全球首款 HBM4 最快下周供貨輝達

南韓媒體報導,三星電子即將在本月內啟動全球首款第六代高頻寬記憶體(HBM4)量產,並可望於農曆年假後、最快下周開始出貨,主要供應給輝達(NVIDIA)用於新一代GPU產品,進一步卡位生成式AI關鍵記憶體市場。

三星晶片事業獲利暴衝5倍 HBM4首季供貨輝達、追趕SK海力士

三星晶片事業獲利暴衝5倍 HBM4首季供貨輝達、追趕SK海力士

三星電子晶片事業表現優於市場預期,單季營業利益年增逾5倍,反映AI投資熱潮帶動記憶體需求快速升溫。公司表示,將擴大AI相關晶片銷售,並預計於今年第1季開始向輝達供應次世代高頻寬記憶體HBM4,為追趕SK海力士在高毛利AI記憶體市場的重要一步。

記憶體注意!韓媒爆三星NAND報價Q1漲100% AI供需失衡持續

記憶體注意!韓媒爆三星NAND報價Q1漲100% AI供需失衡持續

在DRAM持續供不應求、記憶體價格大幅走揚後,市場焦點開始轉向NAND Flash。供應鏈消息指出,NAND價格漲勢已正式啟動,固態硬碟(SSD)恐成下一波價格上漲的重災區。

三星高頻記憶體告捷 韓媒:下月供貨輝達

三星高頻記憶體告捷 韓媒:下月供貨輝達

根據外媒路透社引述知情人士報導,三星電子計畫於下月啟動次世代高頻寬記憶體(HBM4)量產,並供應輝達(NVIDIA),正式加入新一代AI記憶體供應戰局。

HBM4E向量產再近一步 三星基底晶片設計進度曝光

HBM4E向量產再近一步 三星基底晶片設計進度曝光

根據韓國科技媒體《The Elec》指出,三星電子在第七代高頻寬記憶體(HBM)HBM4E 的開發進度再向前推進,關鍵的「基底晶片(Base Die)」已進入後段實體設計階段,象徵整體研發流程跨過重要里程碑。

代理商爆記憶體全面漲價80% 三星:傳言不正確

代理商爆記憶體全面漲價80% 三星:傳言不正確

市場傳出因應成本上漲,三星(Samsung)記憶體代理商發出漲價通知,即日起三星所有記憶體產品價格將上漲80%。對此,三星表示,市場傳言並不正確,並未對所有產品全面漲價80%。

AI帶旺記憶體需求潮 三星電子重返全球DRAM 龍頭

AI帶旺記憶體需求潮 三星電子重返全球DRAM 龍頭

三星電子 (Samsung )受惠於 去年(2025 年)第4季記憶體半導體銷售大增 34%,從 SK海力士手中奪回全球最大DRAM製造商寶座。

三星電子公布利潤翻3倍 帶旺南韓綜合指數刷新高

三星電子公布利潤翻3倍 帶旺南韓綜合指數刷新高

韓國科技大廠三星電子公司(Samsung )估2025年第4季獲利將達20兆韓元(約138億美元)創歷史新高紀錄,此利多消息,帶旺南韓綜合指數(KOSPI)指數今(8日)攻上4600點之上,再創新高,一掃早盤開低陰霾。

三星靠記憶體獲利回血 半導體部門績效獎金逼近半年薪資

三星靠記憶體獲利回血 半導體部門績效獎金逼近半年薪資

三星電子半導體(DS)事業群今年績效大幅回溫,員工可望領取相當於年薪43%至48%的績效獎金,較去年幾乎呈現「三級跳」,主要受惠高頻寬記憶體(HBM)與通用型DRAM市場復甦。

不是三星、英特爾 外媒曝「壓垮台積電」的最大壓力

不是三星、英特爾 外媒曝「壓垮台積電」的最大壓力

在全球AI浪潮推動下,台積電穩坐先進製程霸主地位,成為輝達(NVIDIA)、AMD等無廠半導體大廠爭相依賴的核心供應商。不過外媒Wccftech分析,台積電當前最大的挑戰並非來自三星或英特爾,其人力短缺與資本支出飆升兩大問題正逐漸逼近失控邊緣,處境可以說是因「過度成功」而受苦。

南亞科全球DRAM市佔升至2%!Q3記憶體排名洗牌 三星HBM超車美光

南亞科全球DRAM市佔升至2%!Q3記憶體排名洗牌 三星HBM超車美光

根據市調機構Counterpoint Research最新報告,2025年第3季全球DRAM市場出現明顯洗牌,台灣記憶體大廠南亞科技市佔攀升至2%,在全球市場站穩腳步。同時,三星(Samsung)憑藉最新一代高頻寬記憶體(HBM3E)技術,市佔從前一季的15%躍升至22%,一舉超越美光(Micron),重新奪回HBM市場第2大供應商地位。

記憶體供貨吃緊!三星遭傳退出消費級SATA SSD 公司否認停產

記憶體供貨吃緊!三星遭傳退出消費級SATA SSD 公司否認停產

針對市場盛傳將逐步停產消費級SATA SSD的消息,三星電子正式出面澄清。三星向外媒表示,相關傳聞並不屬實,強調旗下消費級SSD產品線仍會持續供應市場。

記憶體庫存「幾乎沒安全緩衝」 華邦電被求簽6年長約

記憶體庫存「幾乎沒安全緩衝」 華邦電被求簽6年長約

記憶體大缺貨,研究調查機構集邦(TrendForce)資料顯示,DRAM 供應商的平均庫存週期縮短至2-4週,專家以「幾乎沒有安全緩衝」形容供應吃緊現象,並認為「AI 高階晶片 + 策略錯配」是造成「有錢也難買到貨」的關鍵,華邦電(2344)總經理陳沛銘甚至爆出被客戶求簽6年長約。

第1頁共4頁

最夯影音

更多